Low Power Design

[suhas_shiv]

Hi all,

Σε έναν αγωγό ADC, το μεγαλύτερο μέρος της ενέργειας απορροφάται στην φάση ενισχυτή.Ποια είναι τα βήματα που πρέπει να ληφθούν για τη μείωση της κατανάλωσης ισχύος εκεί;Θέλω να πω σε ποιο μέρος του σταδίου ενισχυτή θα επικεντρωθεί στη μείωση της ισχύος και πώς;

Ευχαριστώ,

Suhas

 

[sankudey]

ru τι ενισχυτή μιλάμε .... Δεν νομίζω MDAC .... του είναι η προ-ενισχυτή της comp ....

παρακαλούμε να επεξεργαστεί ur άποψη ... μπορεί να είναι χρήσιμο για την κατανόηση ....

 

[suhas_shiv]

Λοιπόν, ο ενισχυτής είναι στο MDAC (Κέρδος 2 για 1,5 bits / στάδιο).Βασικά αυτό που ζητώ είναι πώς θα μειώσουν την κατανάλωση ενέργειας σε ένα αγωγό ADC.

Ευχαριστώ.

 

[sankudey]

Γεια σου,
Οι ακόλουθες Doc μπορεί να βοηθήσει u. ... είναι διοχέτευσης ADC ... και τεχνική εξοικονόμησης ενέργειας χρησιμοποιείται .....

Το έγγραφο έχει ήδη αποσταλεί in. ...

http://www.edaboard.com/viewtopic.php?p=647293 # 647293

gd τύχη ...
sankudey

-------------------------------------------------- ------------------------55-mW 200-MSPS 10-bit αγωγού βρίσκονται σε κέντρα κράτησης για ασύρματο Δέκτες
Kurose, D. Ito, T. Ueno, T. Yamaji, T. Itakura, T.Η εργασία αυτή δημοσιεύτηκε στο: Solid-State Circuits, IEEE Εφημερίδα της
Ημερομηνία δημοσίευσης: Ιούλιος 2006
Τόμος: 41, Issue: 7
Στη σελίδα (ες): 1589 με 1595
ISSN: 0018-9200
Ψηφιακό αναγνωριστικό αντικειμένου: 10.1109/JSSC.2006.873888
Καταχωρήθηκε online: 2006-06-26 09:29:37.0

Abstract

Μια νέα τεχνική μείωσης ισχύος για αναλογικό σε ψηφιακό, μετατροπείς (ΚΔΚ), προτείνεται στο παρόν έγγραφο.Η τεχνική μείωσης της ενέργειας είναι ένα είδος ενισχυτή ανταλλαγή τεχνική και είναι κατάλληλο για κέντρα διοικητικής κράτησης σε ένα ασύρματο δέκτη.Ένα τσιπ δοκιμής, η οποία περιέχει δύο κέντρα διοικητικής κράτησης, κατασκευάζονται σε 90 nm-1-πολυ 7-μέταλλο τεχνολογία CMOS.Η 10-bit ADC διαχέει 55 mW από 1,2-V εφοδιασμού, όταν το ADC λειτουργεί στα 200 mega-δείγματα ανά δευτερόλεπτο (MSPS).Η 10-bit, 200-MSPS ΚΔΚ επιτευχθεί η μέγιστη διαφορική nonlinearity (DNL) των 0,66 λιγότερο σημαντικό bit (LSB), κατ 'ανώτατο όριο αναπόσπαστο nonlinearity (INL) των 1,00 LSB, μια πλαστή χωρίς δυναμική περιοχή (SFDR) των 66,5 dB και κορυφή σήματος προς θόρυβο συν λόγος παραμόρφωση (SNDR) των 54,4 dB που αντιστοιχεί σε 8,7 αποτελεσματική αριθμό των bits (ENOB).Η ενεργή περιοχή είναι 1,8 χιλιοστά επί $ $ 1,4 χιλιοστά.

-------------------------------------------------- ------------------------