ESD - SCR, npn, PN δίοδος είδους ερώτηση

[ljy4468]

Υπάρχουν ορισμένα είδη ESD συσκευές.
Κατά τη δική μου PDK, υπάρχουν ΚΥΕΣ τύπου ESD-δίοδος, NPN τύπου (δίοδος συνδεδεμένη) ESD-δίοδος, P / ΒΔ δίοδος.
Ποια είναι η διαφορά των τριών αυτών ESD;;

Τι είδους του τύπου μπορώ να χρησιμοποιήσω με διάφορες κύκλωμα;;

Ευχαριστώ εκ των προτέρων.
Χαιρετισμοί.

 

[DenisMark]

Πολύ ευρύ πεδίο για να aswer για όλα τα ζητήματα σε μία θέση.Προσπαθήστε να διαβάσετε κάτι υπάρχουν πολλά βιβλία για EDABoard.

Όλα τα στοιχεία ESD προστασία, μπορούν να χωρισθούν από την κατηγορία 2:
1) Ανάλυση:
π.χ. TFO (οξειδίου πάχους τομέα), GGNMOS (πύλη γειωμένο NMOS), GCNMOS (σε συνδυασμό πύλη NMOS), LV / MV / HV SCR (χαμηλές / mwdium / πυριτίου υψηλής τάσης ελεγχόμενη ανορθωτής) κ.λπ.
2) Μη κατανομή:
π.χ. δίοδοι στην κατεύθυνση προς τα εμπρός, RC-χρονικά Σφιγκτήρες κλπ.

Όλες αυτές έχουν διαφοροποιήσει από την κατανομή τάσης, snapback τάσης (Vt1) κ.λπ.

Το πρώτο από όλα δεν χρησιμοποιούν δίοδο σε αντίθετη κατεύθυνση, όπως η προστασία στοιχείο.Πρέπει πάντα να έχει τη χαμηλή ικανότητα.

NPN συσκευή (snapback δράσης) χρησιμοποιείται συχνά.Έχει μέτρια σημερινή ικανότητα ανά μονάδα περιοχής.TFO, GGNMOS και GCNMOS επίσης μπορεί να χαρακτηριστεί ως NPN συσκευή.

SCR συσκευή (επίσης snapback δράσης) είναι πολύ ευαίσθητη για την επεξεργασία, μπορεί να προκληθεί από την ταχεία αλλαγή της τάσης, συνήθως HV.Αλλά έχει την καλύτερη τρέχουσα capabily ανά μονάδα περιοχής.Αν και δεν σίγουρος σε αυτή τη συσκευή είναι καλύτερα να μην το χρησιμοποιούν.

 

[277897909]

Προτείνετε ένα βιβλίο σας που σχετίζονται με το θέμα αυτό
Nano-CMOS Κυκλωμάτων Σχεδιασμός και Φυσικής Wiley 2005
Είναι διαθέσιμο σε αυτό το φόρουμ.

 

[pit1000]

DenisMark έγραψε:

Το πρώτο από όλα δεν χρησιμοποιούν δίοδο σε αντίθετη κατεύθυνση, όπως η προστασία στοιχείο.
Πρέπει πάντα να έχει τη χαμηλή ικανότητα.

 

[smilelangjun]

Υπάρχουν πολλά βιβλία περιγράφουν τα τρία είδη, όπως ακριβώς η τέχνη της διάταξης