1 MCU ανοιχτό-pin διαρροή οδήγησης 4 NPN

[Banh]

γεια,

Έχω την πρόθεση να χρησιμοποιήσει 1 MCU ανοιχτό-pin διαρροή οδήγησης 4 npn, όπως στο σχήμα.

IoL του πείρου είναι 10mA.

κάθε npn χρειάζεται να προσδοθεί 1mA στη βάση για κορεσμού.

Έτσι, αυτό είναι που περιμένω:
- Όταν η NMOS του λιμένα είναι μακριά -> όλα τα NPN είναι ενεργοποιημένοι και των LED θα είναι φωτισμένο.
- Όταν η NMOS του λιμανιού είναι σε -> όλα τα NPN είναι μακριά, και τα LED είναι μακριά.

Χρειάζομαι τα σχόλιά σας σχετικά με αυτό το κύκλωμα.

ευχαριστώ.
Λυπούμαστε, αλλά θα πρέπει να συνδεθείτε για να δείτε το συνημμένο

 

[Artem]

αντί των 560 Ohm αντίσταση που PNP τρανζίστορ με συλλέκτη συνδέεται με αντιστάσεις βάσης npn, η βάση συνδέεται με αντίσταση στην ανοικτή διαρροή εξόδου MCU
και εκπομπός να Vcc

 

[IanP]

Πρέπει να εργαστούν καλά ..
Μπορείτε εύκολα να αυξήσει την αξία του pullup από 560Ω, ας πούμε, 1kΩ ..

Χαιρετισμοί,
IanP

 

[Sceadwian]

Η 560ohm αντίσταση θα δώσει μεγαλύτερη αξία προκατάληψη πύλη.Κατά 560ohms η προκατάληψη πύλη είναι περίπου 2,5 volt (asumeing 5Volt VCC) σε 1k ohms η προκατάληψη πύλη είναι περίπου 1,8 βολτ.Δεν είμαι βέβαιος πώς αυτό επηρεάζει την απάντηση του MOSFET, αλλά όσο πιο κοντά στο «on», μπορείτε να μεροληψία ένα MOSFET δεν είναι πραγματικά στροφή για το καλύτερο.Θεωρώντας ότι η χαμηλότερη αντίσταση εφιστά 8mA, η οποία είναι πολύ κοντά στο όριο 10MA των ακίδων είναι πιθανώς η καλύτερη τιμή που θα χρησιμοποιηθεί, εκτός αν η αύξηση / μείωση του χρόνου το I / O pin είναι πολύ υψηλό με το μεγάλο ρεύμα ισοπαλία.

 

[Banh]

ευχαριστώ όλους,

άλλη ανησυχία μου είναι ότι, αντί του βύσματος είναι διαμορφωμένος με τη μορφή ανοικτών διαρροή, είναι λάθος ρυθμισμένο ως κανονική push-pull έξοδο.

στην περίπτωση αυτή Ioh του βύσματος είναι μόνο 2mA.

είναι αυτό το πρόβλημα;όπως η καρφίτσα μπορεί ρεύματα πηγές έως το NPN, και μπορεί να υπερβαίνει 2mA ..

 

[IanP]

Η "push-pull" παραγωγή θα εξακολουθεί να είναι άνετα οδηγεί τα 4 τρανζίστορ ..
Λάβετε υπόψη σας, ότι η κοινή NPN τρανζίστορ έχει β>> 100, και ότι για την οδήγηση, ας πούμε, 10mA συλλέκτης σημερινή του τρανζίστορ NPN χρειάζεστε Ι (βάση) = IC (ollector) / β = 10mA/100 = 100μA (ή λιγότερο, για β> 100) ..
Για 4 τρανζίστορ, ως εκ τούτου, η σημερινή οδήγησης θα πρέπει να είναι <400μA, τόσο με 2mA Ioh των μικρο για καρφίτσα την ικανότητα οδήγησης είναι ≈ 20 του NPN τρανζίστορ ..

Χαιρετισμοί,
IanP

 

[Banh]

το τρανζίστορ χρήση i έχει HFE (min) του 20.

ι ως εκ τούτου πρέπει να αντλία στη βάση γύρω από 1mA.

 

[IanP]

Στην περίπτωση αυτή, εάν δεν θέλετε να αντιστραφεί η φάση του σήματος, προσθέστε ένα άλλο NPN τρανζίστορ, και συνδέστε τη βάση του άμεσα με το pin του μικροελεγκτή, συλλέκτης σε 5 και εκπομπού (μέσω resistos) σε βάσεις από αυτές τις 4 τρανζίστορ. .
Προφανώς, μπορείτε να το κάνετε σε ένα με εκατό-και-ένα άλλους τρόπους ..

Χαιρετισμοί,
IanP

 

[Banh]

γιατί μπορεί να σας συνδέει απευθείας στη βάση του τρανζίστορ με την καρφίτσα MCU;δεν θα πρέπει να έχετε μια αντίσταση για να περιορίσουν την κατανάλωση ρεύματος;

 

[IanP]

Μπορείτε να συνδέσετε πρόσθετα αντίσταση μεταξύ της βάσης και την καρφίτσα της MCU, αλλά δεν είναι απαραίτητη εκεί όπως έχετε αντιστάσεις ενσύρματο στο πλευρό πομπού ..

Rgards,
IanP

 

[Banh]

thanks IanP,

συνημμένο είναι το τροποποιημένο κύκλωμα, σύμφωνα με την πρότασή σας.

Δεν είμαι τόσο σαφής σχετικά με τον υπολογισμό:

- Πώς η σημερινή ροή του npn συνδέεται με το pin MCU;πόσο ρεύμα που αντλούνται από την καρφίτσα MCU;
- Το ρεύμα στη βάση των άλλων 4 NPN του;έχουν ακόμη (5-0.75) / 3K9 για κάθε NPN;
Λυπούμαστε, αλλά θα πρέπει να συνδεθείτε για να δείτε το συνημμένο

 

[IanP]

Βάση σημερινή του καθενός από τα 4 NPNs:
(5V-0,75 με 0,75) / 3k9 ≈ 0.9mA (δεύτερη 0,75 αντιπροσωπεύει Ube της προστιθέμενης NPN)

MCU pin τρέχουσα (υποθέτοντας H = 5V):
≈ (4 * 0.9mA) / β (της προστιθέμενης NPN) ≈ 3.6mA/20 ≈ 0.18mA

Χαιρετισμοί,
IanP