Μεσαίο-VT NMOS και βαθιά-Ν-Καλά στην TSMC διαδικασία;

[weber_8722]

Γεια σας, αναρωτιέμαι αν οι μεσαίου VT NMOS μπορεί να τεθεί σε ένα βαθύ-Ν-Καλά στην TSMC180nm MS / RF διαδικασία; Αυτό θα βοηθήσει σε ορισμένες περιπτώσεις. Μήπως anybedoy έχει μια άλλη ιδέα να κάνουμε μια καλή πηγή-οπαδός διάλυμα με μικρή αλλαγή τάσης και να αποκτήσουν κοντά στην ενότητα Αντίο Stephan